航天公开课可控硅器件思维导图

其内部结构包括四层（P 1 、N 1 、P 2 、N 2 ）和三端（A、K、G）

这三端分别称为阳极（A）、阴极（K）和门极（G）

当在电路中阳极A的电位高于阴极K时，晶闸管承受正向阳极电压

该电压虽使晶闸管P 1 N 1 和P 2 N 2 承受正向电压，但中间的P 2 N 1 承受反向电压

所以晶闸管不能导通，此时称为正向阻断状态

当电压与上述极性相反时，也出自类同的原因，晶闸管也不能导通，此时称为反向阻断状态

在加正向阳极电压的同时在门极（G）与阴极（K）之间施加了使门极电位高于阴极的电压

门极将承受正向门极电压，晶闸管则由阻断状态转为导通状态

因此，在承受正向电压时，门极对晶闸管的导通有控制作用

晶闸管一旦导通后，无论门极是否继续加正向电压，甚至门极与阴极之间改加反向门极电压

均不影响其导通状态，也不影响晶闸管中阳极电流的大小

即晶闸管一旦导通后，门极便失去了控制作用

只有在导通后的阳极电流减小到某一数值以下或又一次加上反向阳极电压时

晶闸管才能由导通状态转变为关断状态

当施加反向电压时，门极与阴极之间无论施加何种极性的电压

均不能使晶闸管由关断转变为导通，如果将晶闸管的四层PN结拆解成

等效电路，就可以比较容易地理解产生上述工作特性的原因

之间的阳极电压与阳极电流的关系，称为晶闸管的伏安特性

晶闸管伏安特性曲线，当晶闸管处于正向阳极电压状态而门极不加电压时，其处于正向阻断状态

在阳极电压U a 从零逐渐上升后，阳极电流I a 也逐渐上升，但上升很缓慢

即使U a 已很大，I a 也只有几或几十毫安，此电流称为正向漏电流

当U a 增加至大于图中的U DSM 值以后，I a 便急剧上升

在U a 升到U BO 时，I a 突然剧增，晶闸管由关断突然变为导通

U BO 称为晶闸管的正向转折电压，此时晶闸管上电压降很小，只有1V左右

晶闸管导通后的伏安特性与二极管的正向特性相似

正常情况下，不允许将阳极电压增加到超过正向转折电压

使晶闸管由关断转为导通，而是靠向门极导入触发电流I g 使之导通

I g 越大，正向转折电压越小；I g足够大时，晶闸管的正向转折电压变得很小

这时的特性将与整流二极管基本一致

其反向特性与一般二极管的反向特性相似

正常情况下，承受反向电压时，晶闸管处于反向阻断状态，反向漏电流极小

反向电压增加时，反向漏电流略有增加，但总的来说，反向漏电流数值很小，在实际应用中可以忽略不计

当反向电压增加到较高数值后，反向电流剧增

此时晶闸管处于反向击穿状态，将会造成晶闸管的损坏，这是不允许的