IBM展示首块集成式赛道存储器思维导图

IBM于2008年首次提出了“赛道”计算机存储器的构想并表示，赛道存储器将于10年后全面取代硬盘。集成式赛道存储器中负责阅读、存储和写数据的组件集成于一块芯片上，而此前展示的赛道存储器的各个组件则分处于不同的地方。

赛道存储器将信息存储于镍铁合金纳米金属线上，通过控制纳米线不同部分的磁向得到的磁道表示数字0和1。纳米线约10微米长、150纳米宽、20纳米厚，每条纳米线的一端同电路相连，其产生的电子脉冲采用精确控制的电子自旋将数据写入纳米线内作为磁道。纳米线的另一端上方则有其他层，让磁道沿着纳米线移动。越过该层时，一个设备可以通过探测磁道间的边界阅读出数据。

新样本由IBM位于纽约约克城的实验室使用互补金属氧化物半导体（CMOS）制造技术完成，目前科学界普遍使用该技术来制造处理器和各种半导体器件。首次提出赛道存储器概念并领导该项目的斯图尔特·帕金表示，这表明，可以对赛道存储器进行商业化生产，不过还需要对其进行精简和改进。

这项技术的前景很大程度上取决于单条纳米线能使用很多磁道非常密集地存储数据。帕金表示，他们目前正在研究如何将尽可能多的磁道放入一条纳米线中，实验结果表明，由不同材料制成的纳米线表现得更好。

该样本使用的镍铁合金是所谓的软磁材料——很容易被外部磁场磁化和去磁化。帕金团队正使用硬磁材料进行试验，硬磁材料不易去磁化，且更小更坚硬，能更容易将很多磁道放入一条纳米线中。（记者 刘霞）