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第五章 PN结思维导图

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PN结的形成,结构,参数等内容讲解

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思维导图大纲

第五章 PN结思维导图模板大纲

PN结的形成和结构

结:任何两种物质(绝缘体除外)的冶金学接触 (metallurgical contact, 即原子级接触)都称为结 (junction),有时也叫做接触(contact)。

PN结:由P型半导体和N型半导体实现冶金学接触所 形成的结构叫做PN结。 PN结是除金属-半导体接触 器件外几乎所有半导体器件的基本单元。

同质结:同种物质构成; 异质结:不同种物质构成; 同型结:同种导电类型的物质构成; 异型结:不同种导电类型的物质构成; 金半结:金属-半导体接触或金属-半导体结(M-S结)。

PN结的基本结构

由于空穴和自由电子均是带电的粒子,所以扩散的结 果使P区和N区原来的电中性被破坏,在交界面的两侧 形成一个不能移动的带异性电荷的离子层,称此离子 层为空间电荷区,这就是所谓的PN结

空间电荷区出现后,因为正负电荷的作用,将产生一 个从N区指向P区的内电场。内电场的方向,会对多数 载流子的扩散运动起阻碍作用。 • 同时,内电场则可推动少数载流子(P区的自由电子和 N区的空穴)越过空间电荷区,进入对方。少数载流子 在内电场作用下有规则的运动称为漂移运动。 • 漂移运动和扩散运动的方向相反。无外加电场时,通 过PN结的扩散电流等于漂移电流,PN结中无电流流过, PN结的宽度保持一定而处于稳定状态。

制备过程

反偏PN结

PN结P区接电源的负极,N区接电源的正极。外加电场与 内建电场方向相同,增强了内建电场,多子扩散难以进 行,少子在电场作用下形成反向电流,因为是少子漂移 运动产生的,反向电流很小,这时称PN结处于截止状态。

总结

平衡PN结参数

PN结中的扩散和漂移是相互联系,又是相互矛盾的。在一定条件 (例如温度一定)下,多数载流子的扩散运动逐渐减弱,而少数载流 子的漂移运动则逐渐增强,最后两者达到动态平衡,空间电荷区的宽 度基本稳定下来,PN结就处于相对稳定的状态。

空间电荷区的形成

平衡PN结及其能带

费米能级观点

载流子输运观点

PN结的击穿

正偏PN结

P-正, N-负。正向电压或正向偏置(简称正偏)

扩散运动大于漂移运动 多数载流子形成的扩 散电流起支配作用 少数载流子形成的漂 移电流方向相反,很小,可忽略。PN结处于导通状态, 表现为一个很小的电阻

总结

PN结的电容效应

隧道二极管

隧道二极管是由一简单 的p-n结所组成,而且p 型和n型都是重掺杂半 导体。左图显示在四个 不同电压条件下,隧道 二极管的典型静态电流- 电压特性。此电流-电压 特性是由隧穿电流与热 电流两个成分所合成的结果

产生隧道电流的条件:(1)费米能级位于导带或价带的内部; (2)空间电荷层的宽度很窄,因而有高的隧道穿透几率; (3)在相同的能量水平上在一侧的能带中有电子而在另一侧 的能带中有空的状态。 当结的两边为重掺杂,从而成为简并半导体时,(1)、(2) 条件满足。外加偏压可使条件(3)满足。

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