芯片制造工艺：晶圆的四种基础生产工艺思维导图
对芯片制造工艺中的晶圆的四种基础生产工艺的概述
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思维导图大纲
芯片制造工艺：晶圆的四种基础生产工艺思维导图模板大纲
增层（薄膜工艺）
薄膜类型
绝缘体
半导体
导体
工艺类型
生长法
氧化工艺
二氧化硅
淡化工艺
淀积法
化学气相沉淀
二氧化硅
氮化硅
外延单晶硅
多晶硅
蒸法工艺.
铝
铝合金
镍
金
溅射工艺
二氧化硅
一氧化硅
铝
铝合金
钨
钛
钼
电镀工艺
金
铜
抛光（图形化工艺）
将圆晶表面薄膜的特定部分除去的工艺
包括光刻、刻蚀、去胶工艺
包含：
光掩模（photomasking）
掩膜 （masking）
光刻 （photolith-ography）
用于在晶圆表面和内部产生需要的图形和尺寸
微光刻（microlithography）
加工产出（生成特定的图形）
开空
留岛
缺陷
制程中的污染物会造成缺陷
要完成5层至20层或更多，污染问题会放大。
掺杂
是将特定量的杂质通过薄膜开口引入圆晶表面的工艺过程
热扩散（themal diffusion）
1000度左右高温
气态化的掺杂原子通过扩散化学反应迁移岛暴露的晶圆表面，形成一层薄膜。
离子注入
离子注入机
掺杂工艺的目的是在晶圆表层内建立兜形区（形成电性活跃区和PN结）。
热处理
简单的将晶圆加热和冷却来达到特定结果的制程
会有一些污染物和水气从晶圆上蒸发掉
晶圆上没有增加或减去任何物质
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