芯片制造生产能力和工艺良品率思维导图
芯片制造晶圆生产良品率的制约因素
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思维导图大纲
芯片制造生产能力和工艺良品率思维导图模板大纲
良品率测量点
晶圆制造工艺完成时
晶圆中测后
封装完成时并进行终测
晶圆生产良品率的制约因素
器件
淀积掺杂的硅层，称为外延层
金属间的绝缘介质层(IMD)
垂直（沟槽）电容器
金属间互连导电塞
金属导体层
最终的钝化层
1、工艺制程步骤的数量
2、晶圆破碎和弯曲
3、工艺制程变异
4、工艺制程缺陷
5、光刻掩模板缺陷
光刻掩模板四电路图样的母版，在光刻工艺中被复制到晶圆表面上。
三种缺陷
污染物
石英板中的裂痕
掩模板制作过程发生的图案变形。
包括针孔、铬点、图案扩展或缺失、图案断裂或相邻图案桥接。
晶圆电测良品率要素
影响要素
1、晶圆直径
晶体位错
会随着热处理向中心蔓延
2、芯片尺寸（面积）
3、工艺制程步骤的数量
晶圆背景缺陷密度将增加
4、电路密度
电路密度和缺陷密度
5、缺陷密度
芯片面积和缺陷密度
6、晶圆晶体缺陷密度
7、工艺制程周期
晶圆等待时间越长，受到的污染几率越大
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