芯片制造基本图形化工艺流程思维导图
芯片制造基本图形化、湿法化学工艺
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思维导图大纲
芯片制造基本图形化工艺流程思维导图模板大纲
工艺概述
包括
光刻（photolithography）、
光掩膜（Photomasking）、
掩膜（Masking）
去除氧化膜（Oxide Removal，OR）
去除金属膜（Metal Removal，MR）
微光刻（Microlithography）
图形转移到光刻胶层。
形成负胶，显影剂 溶解掉非负胶部分。
从光刻胶层到圆晶层。
刻蚀剂（去掉氧化层）
湿法化学工艺
有无金属表面
无金属表面的湿法去除
硫酸和氧化剂溶液
有金属表面的湿法去除
问题点：金属会受到侵蚀和氧化。
化学品
1、有机去除剂
2、溶剂去除剂
3、溶剂/ 胺去除剂
4、特殊去除剂
湿法化学工艺去除光刻胶的优势
1、有很长的工艺历史
2、成本有效性好
3、可有效的去除金属离子
4、低温度工艺，并且不会将圆晶暴露与可能的损伤性辐射。
两大工艺
湿法
一般用于特征尺寸大于3um的产品
硅湿法刻蚀
二氧化硅湿法刻蚀
最普通的刻蚀层是热氧化形成的二氧化硅。最基本的刻蚀剂是氢氟酸（HF），它有刻蚀二氧化硅而不伤及硅的优点
铝膜湿法刻蚀
淀积氧化物湿法刻蚀
晶圆的最终膜层之一是铝膜上的二氧化硅钝化膜。
氮化硅湿法刻蚀
湿法喷射刻蚀
喷射的机械压力而增加的精确度。
蒸汽刻蚀
湿法刻蚀的局限性
1、湿法刻蚀局限于3um以上的图形尺寸
2、湿法刻蚀为各向同性刻蚀，导致边侧形成斜坡
3、湿法刻蚀工艺要求冲洗和干燥步骤
4、液体化学品有毒害。
5、湿法工艺有潜在的污染。
6、光刻胶黏结力的失效导致钻蚀。
干法
刻蚀技术
等离子体刻蚀
等离子体刻蚀机由一个反应室、真空系统、气体供应、终点探测和电源组成。
桶式（早期）
离子以一个无方向的图案激发。
平板式（）
对于更精确的刻蚀，平板上等离子系统收到青睐+
离子铣（刻蚀）
反应离子刻蚀（RIE）
干法刻蚀的优点
刻蚀率
辐射损伤
较高密度和低压力好像是受欢迎的系统设计。
选择性
微粒的产生
刻蚀后腐蚀
拥有成本
正胶负胶比较
正胶有更高的分辨率
正胶的黏结能力差
负胶易出现针孔
负胶氧化，能使光刻胶膜变薄20%。正胶没有。
正胶的成本更高。对于非常小的图形尺寸，正胶是唯一的选择。大于2um的工艺还是永负胶。
显影属性不同，负胶容易显影。正胶容易去除。
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