晶圆的四种基础生产工艺介绍
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晶圆的四种基础生产工艺思维导图模板大纲
工艺类型
淀积法
化学气相沉淀
二氧化硅
氮化硅
外延单晶硅
多晶硅
蒸法工艺.
铝
铝合金
镍
金
溅射工艺
二氧化硅
一氧化硅
铝
铝合金
钨
钛
钼
电镀工艺
金
铜
将圆晶表面薄膜的特定部分除去的工艺
包含:
光掩模(photomasking)
掩膜 (masking)
光刻 (photolith-ography)
用于在晶圆表面和内部产生需要的图形和尺寸
微光刻(microlithography)
加工产出(生成特定的图形)
开空
留岛
是将特定量的杂质通过薄膜开口引入圆晶表面的工艺过程
热扩散(themal diffusion)
1000度左右高温
气态化的掺杂原子通过扩散化学反应迁移岛暴露的晶圆表面,形成一层薄膜。
离子注入
离子注入机
简单的将晶圆加热和冷却来达到特定结果的制程
会有一些污染物和水气从晶圆上蒸发掉
晶圆上没有增加或减去任何物质
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