金属半导体接触和异质结思维导图
金属半导体接触，异质结，电压特性等内容讲解
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思维导图大纲
金属半导体接触和异质结思维导图模板大纲
6.1 金属半导体接触
基本概念： 真空能级E0 :电子完全脱离材料本身的束缚所需的最小能量 功函数:从费米能级到真空能级的能量差 电子亲和能:半导体能带底的电子要逸出体外所需的最小能量
Wm > Ws 金属与N型半导体接触
当金属与N型半导体接触，设它们具有共 同的真空能级。如果N型半导体的功函数 小于金属的功函数，既N型半导体的费米 能级高于金属的费米能级。
Wm < Ws 金属一侧带正电，半导体一侧将带负电。 电场的方向是由带正电的金属指向带负电的半导体， 既由半导体表面指向体内。 金属与N型半导体接触
欧姆接触：就是形成 了反阻挡层，无明显 附加阻抗，不会使半 导体内部的平衡载流 子浓度发生显著改变。 欧姆接触的压降远小 于样品或者器件本身 的压降，不会影响器 件的电流电压特性。
金属和P型半导体接触
特性总结
6.2 异质结
由两种不同半导体材料组成的结，则称为 异质结
同质型异质结：同型异质结，指有导电 类型相同的两种不同的 半导体单晶材料所形成 的异质结。
反型异质结：反型异质结，指有导电 类型相反的两种不同的 半导体单晶材料所形成 的异质结。
pn异质结
平衡时，两块半导体有统一的费米能级交界面的两端形成了空间电荷区。n型半导体一边为正空间电荷区，p型半导体一边为负空间电荷区。内建电场存在，电子在空间电荷区中各点有附加电势能。能带发生了弯曲。能带在交界面处不连续，有一个突变
6.3 异质结的电流--电压特性
负峰势垒
正峰势垒
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