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金属半导体接触和异质结思维导图

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金属半导体接触,异质结,电压特性等内容讲解

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思维导图大纲

金属半导体接触和异质结思维导图模板大纲

6.1 金属半导体接触

基本概念: 真空能级E0 :电子完全脱离材料本身的束缚所需的最小能量 功函数:从费米能级到真空能级的能量差 电子亲和能:半导体能带底的电子要逸出体外所需的最小能量

Wm > Ws 金属与N型半导体接触

当金属与N型半导体接触,设它们具有共 同的真空能级。如果N型半导体的功函数 小于金属的功函数,既N型半导体的费米 能级高于金属的费米能级。

Wm < Ws 金属一侧带正电,半导体一侧将带负电。 电场的方向是由带正电的金属指向带负电的半导体, 既由半导体表面指向体内。 金属与N型半导体接触

欧姆接触:就是形成 了反阻挡层,无明显 附加阻抗,不会使半 导体内部的平衡载流 子浓度发生显著改变。 欧姆接触的压降远小 于样品或者器件本身 的压降,不会影响器 件的电流电压特性。

金属和P型半导体接触

特性总结

6.2 异质结

由两种不同半导体材料组成的结,则称为 异质结

同质型异质结:同型异质结,指有导电 类型相同的两种不同的 半导体单晶材料所形成 的异质结。

反型异质结:反型异质结,指有导电 类型相反的两种不同的 半导体单晶材料所形成 的异质结。

pn异质结

平衡时,两块半导体有统一的费米能级交界面的两端形成了空间电荷区。n型半导体一边为正空间电荷区,p型半导体一边为负空间电荷区。内建电场存在,电子在空间电荷区中各点有附加电势能。能带发生了弯曲。能带在交界面处不连续,有一个突变

6.3 异质结的电流--电压特性

负峰势垒

正峰势垒

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