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架构,使用特点及存储模式内容讲解

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思维导图大纲

NAND FLASH思维导图模板大纲

架构

3D

主流

容量大

应用产品

eMMC

SSD

TF/SD卡

价格便宜

2D

使用特点

会有坏块

需要坏块管理

擦写寿命有限制

需要平均读写

其他优化机制

均匀电荷散射

垃圾回收

存在位翻转

需要EDC/ECC

存储模式

MLC

2bit

性能一股

擦写寿命次之

1千~3千次

TLC

3bit

性能差

擦写寿命差

500次

QLC

4bit

最新产品

擦写寿命差

300~500次

SLC

1bit

性能最稳定

擦写寿命长

5~10万次

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