介绍了MOS的器件、伏安特性、二级效应。
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第二章思维导图模板大纲
MOS器件是四端器件
NMOS
共享一个衬底端
PMOS
有各自的衬底端
阈值电压
引起沟道区产生强表面反型的最小栅电压,称为阈值电压VT
体效应
沟道调制效应
亚阈值导电特性
速度饱和
衬底端电平使PN结反偏思维导图模板大纲
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