电工电子思维脑图思维导图

在绝对温度T=0K时，所有的价电子都被共价键紧紧束缚在共价键中，不会成为自由电子，因此本征半导体的导电能力很弱，接近绝缘体。

当温度升高或受到光的照射时，束缚电子能量增高，有的电子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，成为自由电子。

自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，称为空穴。

在一定温度下，本征激发和复合同时进行，达到动态平衡。电子空穴对的浓度一定。

载流子

N型半导体

P型半导体

少子漂移电流 <-->多子扩散电流

动态平衡：扩散电流 ＝ 漂移电流 总电流＝0

加正向电压（正偏）——电源正极接P区，负极接N区

加反向电压——电源正极接N区，负极接P区

PN结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻， PN结导通； PN结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻， PN结截止。 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。

相应的电压叫死区电压。范围称死区。死区电压与材料和温度有关，硅管约 0.5 V 左右，锗管约 0.1 V 左右。

当电压超过零点几伏后，反向电流不随电压增加而增大，即饱和

雪崩击穿：碰撞电离

齐纳击穿：场致激发

热击穿： PN结过热

1. 根据已知条件或实际情况确定二极管采用的模型

2. 将二极管断开，分别计算VA, VK 并判断二极管的通断

3. 套入相应的模型对原电路进行变换

4. 计算

rZ 愈小愈好。对于同一个稳压管，工作电流愈大， rZ 值愈小。

三极管有两种导电类型：NPN 型和 PNP 型

晶体管内部结构要求：

共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示；

共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示；

共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示。

（1）当uCE=0 V时，因集电极无收集作用，iC=0。

（2） uCE ↑ → Ic ↑ 。

（3） 当uCE ＞1V后，收集电子的能力足够强。这时，发射到基区的电子都被集电极收集，形成iC。所以uCE再增加，iC基本保持不变。