兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的鉴别思维导图
突触后电位（postsynaptic potential ），略称PSP。也可称突触电位（synaptic poten- tial）。这是突触传递在突触后神经元中所产生的电位变化。下面给大家介绍的是兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的鉴别思维导图。
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思维导图大纲
兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的鉴别思维导图模板大纲
兴奋性突触后电位（EPSP）
神经递质
作用于突触后膜的神经递质为兴奋性递质
后膜电位
递质作用后，突触后膜发生去极化
兴奋性
突触后神经元对刺激的兴奋性升高
产生机制
递质作用于突触后膜，突触后膜对Na+和K+通透性增高，导致突触后膜去极化
后膜离子
Na+内流↑↑↑、K+外流↑
特点
EPSP可以总和，为局部电位
结果
突触后神经元容易兴奋（兴奋）
抑制性突触后电位（IPSP）
神经递质
作用于突触后膜的神经递质为抑制性递质
后膜电位
递质作用后，突触后膜发生超极化
兴奋性
对其他刺激的兴奋性降低
产生机制
①后膜对CI-通透性增高，Cl-内流，超极化
②K+通透性增高，Na+、Ca2+通道关闭
后膜离子
Cl-内流↑↑↑、K+外流↑
特点
IPSP也可以总和，为局部电位
结果
突触后神经元更不容易兴奋（抑制）
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