晶圆制造工艺流程思维导图

表面清洗

初次氧化

CVD(Chemical Vapor deposition) 法沉积一层 Si3N4 (Hot CVD 或 LPCVD)

涂敷光刻胶

此处用干法氧化法将氮化硅去除

离子布植将硼离子 (B+3) 透过 SiO2 膜注入衬底，形成 P 型阱

去除光刻胶，放高温炉中进行退火处理

用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷 (P+5) 离子，形成 N 型

退火处理，然后用 HF 去除 SiO2 层

干法氧化法生成一层 SiO2 层，然后 LPCVD 沉积一层氮化硅

利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层

湿法氧化，生长未有氮化硅保护的 SiO2 层，形成 PN 之间的隔离区

热磷酸去除氮化硅，然后用 HF 溶液去除栅隔离层位置的 SiO2 ，并重新生成品质更好的 SiO2 薄膜 , 作为栅极氧化层。

LPCVD 沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻，以及等离子蚀刻技术，栅极结构，并氧化生成 SiO2 保护层。

表面涂敷光阻，去除 P 阱区的光阻，注入砷 (As) 离子，形成 NMOS 的源漏极。用同样的方法，在 N 阱区，注入 B 离子形成 PMOS 的源漏极。

利用 PECVD 沉积一层无掺杂氧化层，保护元件，并进行退火处理。

沉积掺杂硼磷的氧化层

濺镀第一层金属

光刻技术定出 VIA 孔洞，沉积第二层金属，并刻蚀出连线结构。然后，用 PECVD 法氧化层和氮化硅保护层。

光刻和离子刻蚀，定出 PAD 位置

最后进行退火处理，以保证整个 Chip 的完整和连线的连接性