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晶圆制造工艺流程思维导图

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向晶圆表面喷洒溶剂,同时旋转晶圆。将晶圆水平放置在清洗槽中,利用旋转离心力将晶圆表面溶解的残留物甩出,可有效防止边缘缺陷扩散到整片晶圆,提高了产品良率

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思维导图大纲

晶圆制造工艺流程思维导图模板大纲

表面清洗

将晶圆水平放置于清洗槽中;

向晶圆表面喷洒溶剂,同时旋转晶圆。将晶圆水平放置在清洗槽中,利用旋转离心力将晶圆表面溶解的残留物甩出,可有效防止边缘缺陷扩散到整片晶圆,提高了产品良率

初次氧化

CVD(Chemical Vapor deposition) 法沉积一层 Si3N4 (Hot CVD 或 LPCVD)

常压 CVD (Normal Pressure CVD)

低压 CVD (Low Pressure CVD)

热 CVD (Hot CVD)/(thermal CVD)

电浆增强 CVD (Plasma Enhanced CVD)

MOCVD (Metal Organic CVD) & 分子磊晶成长 (Molecular Beam Epitaxy)

外延生长法 (LPE)

涂敷光刻胶

光刻胶的涂敷

预烘 (pre bake)

曝光

显影

后烘 (post bake)

腐蚀 (etching)

光刻胶的去除

此处用干法氧化法将氮化硅去除

离子布植将硼离子 (B+3) 透过 SiO2 膜注入衬底,形成 P 型阱

去除光刻胶,放高温炉中进行退火处理

用热磷酸去除氮化硅层,掺杂磷 (P+5) 离子,形成 N 型

退火处理,然后用 HF 去除 SiO2 层

干法氧化法生成一层 SiO2 层,然后 LPCVD 沉积一层氮化硅

利用光刻技术和离子刻蚀技术,保留下栅隔离层上面的氮化硅层

湿法氧化,生长未有氮化硅保护的 SiO2 层,形成 PN 之间的隔离区

热磷酸去除氮化硅,然后用 HF 溶液去除栅隔离层位置的 SiO2 ,并重新生成品质更好的 SiO2 薄膜 , 作为栅极氧化层。

LPCVD 沉积多晶硅层,然后涂敷光阻进行光刻,以及等离子蚀刻技术,栅极结构,并氧化生成 SiO2 保护层。

表面涂敷光阻,去除 P 阱区的光阻,注入砷 (As) 离子,形成 NMOS 的源漏极。用同样的方法,在 N 阱区,注入 B 离子形成 PMOS 的源漏极。

利用 PECVD 沉积一层无掺杂氧化层,保护元件,并进行退火处理。

沉积掺杂硼磷的氧化层

濺镀第一层金属

薄膜的沉积方法根据其用途的不同而不同,厚度通常小于 1um 。

真空蒸发法( Evaporation Deposition )

溅镀( Sputtering Deposition )

光刻技术定出 VIA 孔洞,沉积第二层金属,并刻蚀出连线结构。然后,用 PECVD 法氧化层和氮化硅保护层。

光刻和离子刻蚀,定出 PAD 位置

最后进行退火处理,以保证整个 Chip 的完整和连线的连接性

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