芯片制造工艺：薄膜淀积思维导图
芯片制造中薄膜淀积工艺的概述
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思维导图大纲
芯片制造工艺：薄膜淀积思维导图模板大纲
将各种其他的半导体、绝缘介质和导电层等添加到圆晶表面
用到的技术
化学气相淀积（CVD）
工艺比较简单
化学反应分为四类
高原分解反应
还原反应
氧化反应
氮化反应++
基本CVD系统构成
管式反应炉、气源柜、反应室、能源柜、晶圆托架（舟体）和装载、卸载机械装置。
CVD的工艺步骤
预清洗
淀积
评估
CVD系统分类
常压（AP）
水平管-热感式APCVD
桶式-辐射感应加热APCVD
饼式热感应APCVD
连续传导加热
低压（LP）
组要优点：
较低的化学反应温度
良好的台阶覆盖和均匀性
采用垂直方式的晶圆装载，提高了生产率和降低了在微粒中的暴露
对气体流动的动态变化依赖性低
气相反应中微粒的形成时间较少
反应可在标准的管式反应炉内完成
该系统必须使用真空泵，以降低反应室内的压力。
分类
水平对流热传导LPCVD
超高真空CVD（UHV/CVD）
增强型等离子体
高密度等离子体
原子层淀积（ALD）
ALD使用脉冲调制技术。用清除气体将每种反应剂分离，分阶段的生长薄膜。
气相外延(VPE)
分子束外延（MBE）
MBE是一种蒸发工艺，优于CVD工艺。
物理气相淀积（PVD）
电镀
旋转涂敷
蒸发
器件
淀积掺杂的硅层，称为外延层
金属间的绝缘介质层(IMD)
垂直（沟槽）电容器
金属间互连导电塞
金属导体层
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