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芯片制造工艺:薄膜淀积思维导图

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芯片制造中薄膜淀积工艺的概述

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思维导图大纲

芯片制造工艺:薄膜淀积思维导图模板大纲

将各种其他的半导体、绝缘介质和导电层等添加到圆晶表面

用到的技术

化学气相淀积(CVD)

工艺比较简单

化学反应分为四类

高原分解反应

还原反应

氧化反应

氮化反应++

基本CVD系统构成

管式反应炉、气源柜、反应室、能源柜、晶圆托架(舟体)和装载、卸载机械装置。

CVD的工艺步骤

预清洗

淀积

评估

CVD系统分类

常压(AP)

水平管-热感式APCVD

桶式-辐射感应加热APCVD

饼式热感应APCVD

连续传导加热

低压(LP)

组要优点:

较低的化学反应温度

良好的台阶覆盖和均匀性

采用垂直方式的晶圆装载,提高了生产率和降低了在微粒中的暴露

对气体流动的动态变化依赖性低

气相反应中微粒的形成时间较少

反应可在标准的管式反应炉内完成

该系统必须使用真空泵,以降低反应室内的压力。

分类

水平对流热传导LPCVD

超高真空CVD(UHV/CVD)

增强型等离子体

高密度等离子体

原子层淀积(ALD)

ALD使用脉冲调制技术。用清除气体将每种反应剂分离,分阶段的生长薄膜。

气相外延(VPE)

分子束外延(MBE)

MBE是一种蒸发工艺,优于CVD工艺。

物理气相淀积(PVD)

电镀

旋转涂敷

蒸发

器件

淀积掺杂的硅层,称为外延层

金属间的绝缘介质层(IMD)

垂直(沟槽)电容器

金属间互连导电塞

金属导体层

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